Um estudo realizado por pesquisadores da Universidade de Kyushu, publicado na revista Materials Today Physics, revelou que uma camada ultrathin de irídio-manganésio (IrMn) pode aumentar duas propriedades relacionadas ao spin em estruturas eletrônicas.

Impacto na tecnologia de spintrônica

A pesquisa, liderada pelo professor Hiromi Yuasa, examinou como a camada IrMn influencia o efeito spin Seebeck (SSE) e a resistência magnética de Hall (SMR). As descobertas indicam que a camada de 0,3 nm de espessura produz respostas mais fortes em ambas as propriedades.

Esses resultados sugerem que o IrMn pode melhorar a transferência de spin através de mecanismos interfaciais, o que poderia ser crucial para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de baixo consumo de energia.